Circuit ULF à base de transistors au germanium MP39, P213 (2W). Pshvi - la première étape vers le brochage mp39 du transistor Internet

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Pierre

Transistors MP39, MP40, MP41, MP42.

Transistors MP39, MP40, MP41, MP42- germanium, amplification basse fréquence de faible puissance, structures pnp.
Boîtier métal-verre avec câbles flexibles. Poids - environ 2 g. Marquages alphanumériques sur la surface latérale du boîtier.

Il existe les analogues étrangers suivants :
MP39 -2N1413
MP40-2N104
MP41 possible analogique - 2N44A
MP42 possible analogique - 2SB288

Les paramètres les plus importants.

Coefficient de transfert de courant pour les transistors MP39 dépasse rarement 12 , pour le MP39B, cela va de 20 à 60 .
Pour transistors MP40, MP40A - à partir de 20 à 40 .
Pour transistors MP41 - à partir de 30 à 60 , MP41A - de 50 à 100 .
pour transistors MP42 - à partir de 20 à 35 , MP42A - à partir de 30 à 50 , MP42B - à partir de 45 à 100 .

Tension maximale collecteur-émetteur. Pour transistors MP39, MP40 - 15 V.
Pour les transistors MP40A - 30 V.
Pour transistors MP41, MP41A, MP42, MP42A, MP42B - 15 V.

Fréquence limite du coefficient de transfert de courant (fh21e) transistor pour circuits à émetteur commun :
À 0,5 MHz pour les transistors MP39, MP39A.
À 1 MHz pour les transistors MP40, MP40A, MP41, MP42B.
À 1,5 MHz pour les transistors MP42A.
À 2 MHz pour les transistors MP42.

Courant maximum du collecteur. - 20 mA constante, 150 mA - pulsé.

Courant de collecteur inverse à une tension collecteur-base de 5V et une température ambiante de -60 à +25 Celsius pas plus - 15 µA.

Courant inverse de l'émetteur à une tension émetteur-base de 5 V et une température ambiante allant jusqu'à +25 Celsius pas plus - 30 µA.

Capacité de jonction du collecteur à une tension collecteur-base de 5V à une fréquence de 1 MHz - pas plus 60 pF.

Facteur de bruit propre - pour MP39B avec une tension collecteur-base de 1,5 V et un courant émetteur de 0,5 mA à une fréquence de 1 KHz - pas plus 12 db.

Dissipation de puissance du collecteur. Pour MP39, MP40, MP41 - 150 mW
MP42 a - 200 mW

Il était une fois des transistors de cette série qui étaient inclus dans les kits de construction radio largement utilisés pour les débutants. Les MP39-MP42, avec leurs dimensions plutôt grandes, leurs longs câbles flexibles et leur brochage simple, étaient idéaux pour cela. De plus, un courant inverse assez important leur permettait de fonctionner dans un circuit émetteur commun, sans polarisation supplémentaire. Ceux. - l'amplificateur le plus simple a été réellement assemblé, sur un transistor, sans résistances. Cela a permis de simplifier considérablement les circuits sur étapes initiales conception.

Brochage du transistor MP41

Désignation du transistor MP41 sur les schémas

Sur schémas de circuits Le transistor est désigné à la fois par un code lettre et par un code graphique classique. Le code alphabétique est constitué des lettres latines VT et d'un chiffre (numéro ordinal sur le schéma). La désignation graphique conventionnelle du transistor MP41 est généralement placée dans un cercle, symbolisant son corps. Un court tiret avec une ligne partant du milieu symbolise la base, deux lignes inclinées tracées sur ses bords à un angle de 60° symbolisent l'émetteur et le collecteur. L'émetteur a une flèche pointant vers la base.

Caractéristiques du transistor MP41

Structure p-n-p
15* (10k)V
20 (150*) mA
0,15 W
30...60 (5 V ; 1 mA)
Courant de collecteur inverse
>1* MHz
Structure p-n-p
Tension collecteur-base maximale admissible (impulsion) 15* (Zk)V
Courant de collecteur constant (impulsion) maximum admissible 150* mA
Puissance dissipée continue maximale admissible du capteur sans dissipateur thermique (avec dissipateur thermique) 0,2 W
Coefficient de transfert de courant statique d'un transistor bipolaire dans un circuit à émetteur commun 20...35* (1 V ; 10 mA)
Courant de collecteur inverse -µA
Fréquence de coupure du coefficient de transfert de courant dans un circuit avec un émetteur commun >2* MHz

Brochage du transistor MP42

Désignation du transistor MP42 sur les schémas

Sur les schémas de circuit, le transistor est désigné à la fois par un code lettre et par un code graphique classique. Le code alphabétique est constitué des lettres latines VT et d'un chiffre (numéro ordinal sur le schéma). La désignation graphique conventionnelle du transistor MP42 est généralement placée dans un cercle, symbolisant son corps. Un court tiret avec une ligne partant du milieu symbolise la base, deux lignes inclinées tracées sur ses bords à un angle de 60° symbolisent l'émetteur et le collecteur. L'émetteur a une flèche pointant vers la base.

Caractéristiques du transistor MP42

- Structure p-n-p
- Tension collecteur-base maximale admissible (impulsion) 15* (Zk)V
- Courant de collecteur constant (impulsion) maximum admissible 150* mA
- Puissance dissipée continue maximale admissible du capteur sans dissipateur thermique (avec dissipateur thermique) 0,2 W
- Coefficient de transfert de courant statique d'un transistor bipolaire dans un circuit à émetteur commun 20...35* (1 V ; 10 mA)
- Courant de collecteur inverse -µA
- Fréquence de coupure du coefficient de transfert de courant dans un circuit avec un émetteur commun >2* MHz

Amplificateur de puissance basse fréquence sur transistors au germanium P213, dont le schéma de circuit est illustré à la Fig. 1, peut être utilisé pour restituer des enregistrements, en tant que partie basse fréquence du récepteur (à partir des prises Gn3, Gn4), ainsi qu'à amplifier les signaux des capteurs d'instruments de musique adaptés (à partir des prises Gn1, Gn2).

La sensibilité de l'amplificateur des prises GnI, Gn2 est de 20 mV, celle des prises Gn3, Gn4 - pas pire que 250 mV ;
Puissance de sortie sous une charge de 6,5 ohms -2 W ;
facteur de distorsion non linéaire - 3 % ;
Bande de fréquence reproductible 60-12 000 Hz ;
En mode silencieux, l'amplificateur consomme un courant d'environ 8 mA et en mode puissance maximale - 210 mA.
L'amplificateur peut être alimenté soit par piles, soit par secteur CA tension 127 ou 220 V.

Diagramme schématique

Comme le montre le schéma électrique, le premier étage d'amplification est monté sur un transistor à faible bruit MP39B (T1) selon un circuit à émetteur commun. Le signal amplifié est envoyé au potentiomètre R1, à partir du moteur duquel, via la résistance R2 et le condensateur de séparation C1, le signal basse fréquence atteint la base du transistor. La charge du premier étage de l'amplificateur est la résistance R5.

Le diviseur de tension R3, R4 et la résistance R6 sont des éléments de stabilisation de température. La présence d'un diviseur R3, R4 rend la tension à la base du transistor T1 peu dépendante de la température. La résistance R6 dans le circuit émetteur crée une rétroaction CC négative.

À mesure que la température augmente, le courant dans le circuit émetteur augmente et la chute de tension aux bornes de la résistance R6 augmente. En conséquence, la tension entre la base et l’émetteur devient moins négative, ce qui empêche le courant de l’émetteur d’augmenter davantage. Le deuxième étage d'amplification est également assemblé selon un circuit émetteur commun utilisant un transistor MP39B (T2).

Pour réduire la dépendance des paramètres de cette cascade à la température, on utilise une contre-réaction combinée déterminée par les résistances R8, R9 et R10. La tension amplifiée par le premier étage est fournie à l'entrée du deuxième étage via le condensateur d'isolement C2. La charge du transistor T2 est la résistance R7.

Le troisième étage d'amplification est monté sur le transistor T3. La charge en cascade est la résistance RI8. La connexion entre les deuxième et troisième étages s'effectue à l'aide du condensateur C3.

L'étage de sortie de l'amplificateur fonctionne en mode classe B dans un circuit série-parallèle. Le principal avantage des amplificateurs de cette classe par rapport aux amplificateurs fonctionnant en classe A est leur haut rendement.

Lors de la conception d'amplificateurs basse fréquence conventionnels, les radioamateurs sont confrontés à la tâche de fabriquer des transformateurs de transition et de sortie. Les transformateurs de petite taille avec un noyau en permalloy sont assez difficiles à fabriquer. De plus, les transformateurs réduisent le rendement global et sont dans de nombreux cas une source de distorsion non linéaire.

Récemment, des étages de sortie sans transformateur ont été développés - avec une symétrie quasi complémentaire, c'est-à-dire utilisant des transistors ayant différents types de transitions et se complétant pour exciter un amplificateur push-pull.

La cascade sans transformateur est montée sur deux transistors puissants T6, T7 avec excitation par une paire de transistors symétriques complémentaires T4 et T5 fonctionnant dans l'étage d'amplification préfinal. Selon la polarité du signal fourni par le collecteur du transistor T3, soit l'un (T4) soit l'autre (T5) transistor est déverrouillé. Simultanément, les transistors associés T6, T7 s'ouvrent. Si le signal amplifié au collecteur du transistor T3 est de polarité négative, les transistors T4, T6 s'ouvrent ; si le signal est de polarité positive, les transistors T5 et T7 s'ouvrent ;

La composante directe du courant du collecteur traversant la diode de stabilisation thermique D1 et la résistance R19 crée une polarisation aux bases des transistors T4, T5, qui remplissent les fonctions d'inverseurs de phase. Ce décalage permet d'éliminer les distorsions caractéristiques causées par la non-linéarité caractéristiques d'entréeà faibles courants de base.

Les résistances R22, R23 réduisent l'influence de la dispersion des paramètres des transistors T4, T3 sur le mode de fonctionnement de l'étage de sortie. Condensateur de séparation C9.

Afin de réduire les distorsions non linéaires, les étages d'amplification des transistors T3 - T7 sont couverts par une rétroaction alternative négative, dont la tension est retirée de la sortie de l'amplificateur final et via la chaîne R17, C8, R16, R15, C6, R14. est fourni à la base du transistor T3. En même temps résistance variable R17 fournit un contrôle de tonalité dans la zone basses fréquences, et le potentiomètre R15 - dans la région des fréquences plus élevées.

Si le contrôle de la tonalité n'est pas requis, alors les pièces R14 à R17. C6, C8 sont exclus du dispositif. Le circuit de rétroaction dans ce cas est formé par la résistance R0 (sur la figure 1, ce circuit est représenté par une ligne pointillée).

Pour un fonctionnement normal de l'étage de sortie, la tension au point « a » (tension de repos) doit être égale à la moitié de la tension de la source d'alimentation. Ceci est réalisé par une sélection appropriée de la résistance de la résistance RI8. La stabilisation de la tension de repos est assurée par un circuit de rétroaction CC négatif.

Comme le montre le schéma, le point « a » à la sortie de l'amplificateur est connecté au circuit de base du transistor TZ à l'aide de la résistance R12. La présence de cette connexion maintient automatiquement la tension au point « a » égale à la moitié de la tension de la source d'alimentation (v dans ce caségal à ba).

Pour un fonctionnement normal de l'amplificateur, il faut également que les transistors T4, T5 et T6, T7 aient le courant inverse le plus faible possible. La valeur du gain (5 transistors T4-T7 doit être comprise entre 40 et 60 ; de plus, les transistors peuvent avoir différents facteurs de gain h. Il suffit que l'égalité h4 * hb = h5 * h7 soit satisfaite.

Pièces et installation

L'amplificateur est monté sur un panneau getinaks d'une épaisseur de 1 à 1,5 mm. Les dimensions de la carte dépendent en grande partie de l'application de l'amplificateur. Pour assurer une bonne dissipation thermique, les transistors P213B sont équipés de radiateurs d'une surface totale de refroidissement d'au moins 100 cm2.

L'amplificateur peut être alimenté par une batterie 12 V assemblée à partir de cellules de type Saturne, ou par des batteries pour lampe de poche. L'amplificateur est alimenté par le secteur AC à l'aide d'un redresseur monté en pont utilisant quatre diodes D1-D4 avec un filtre capacitif via un stabilisateur de tension (Fig. 2).

Comme mentionné ci-dessus, lorsque l'amplificateur fonctionne, le courant qu'il consomme varie dans une plage assez large. Des fluctuations soudaines du courant entraîneront inévitablement une modification de la tension d'alimentation, ce qui peut entraîner des connexions indésirables dans l'amplificateur et une distorsion du signal. Pour éviter de tels phénomènes, une stabilisation de la tension redressée est prévue.

Le stabilisateur est constitué des transistors T7, T2 et d'une diode Zener D5. Ce stabilisateur fournit une tension stable de 12 V lorsque le courant de charge passe de 5 à 400 mA et que l'amplitude d'ondulation ne dépasse pas 5 mV. La stabilisation de la tension d'alimentation se produit en raison de la chute de tension aux bornes du transistor T2.

Cette différence dépend de la polarisation à la base du transistor T2, qui, à son tour, dépend de la valeur de la tension de référence aux bornes de la résistance R2 et de la tension aux bornes de la charge (Rload).

Le transistor T2 est monté sur un radiateur. Le redresseur est placé dans un boîtier de 60X90X130 mm, en tôle d'acier de 1 mm d'épaisseur.

Le transformateur de puissance est réalisé sur un noyau Ш12, l'épaisseur de l'ensemble est de 25 mm. L'enroulement I (à 127 V) contient 2650 tours de fil PEL 0,15, l'enroulement II (à 220 V) - 2190 tours PEL 0,12, l'enroulement III - 420 tours PEL 0,55.

Installation

Un amplificateur assemblé à partir de pièces et de transistors éprouvés commence généralement à fonctionner immédiatement. En connectant la source d'alimentation (12 V), les résistances R3, R8, R12, R18 définissent le mode recommandé. Ensuite, à travers le condensateur de séparation C3, qui est d'abord déconnecté du collecteur du transistor T2, la tension de générateur de son(0,2 V, fréquence 1000 Hz).

La chaîne de rétroaction au point « b » doit être rompue. La forme d'onde de la tension de sortie est surveillée à l'aide d'un oscilloscope connecté en parallèle avec le haut-parleur. Si de grands « pas » sont observés aux jonctions des alternances, vous devez clarifier la valeur de la résistance R19.

Il est sélectionné sur la base d'une distorsion minimale, qui disparaît presque complètement lorsque le circuit de rétroaction est activé. La configuration des autres cascades n’est pas différente. Dans les cas où une sensibilité d'environ 250 mV est requise de la part de l'amplificateur, les deux premiers étages des transistors T1, T2 peuvent être exclus du circuit.

Basse fréquence. Transistors en alliage de germanium-n- r MP39B, MP40A, MP41A sont utilisés pour fonctionner dans des circuits d'amplification basse fréquence et sont produits dans un boîtier métallique (Fig. 56, a - c) avec des isolateurs en verre et des câbles flexibles, pesant 2,5 g, avec une plage de température de fonctionnement de - 60 à +70° AVEC. Les paramètres électriques sont donnés dans le tableau. 109.

Transistors PNP au silicium Les MP 114, MP 115, MP116 sont réalisés dans un boîtier métallique avec isolateurs en verre et câbles flexibles (Fig. 57), pesant 1,7 g, avec une plage de température de fonctionnement de - 55 à + 100°C. Les paramètres électriques sont donnés dans le tableau. 110.

Riz. 56. Tsokolevka et dimensions hors tout transistors MP39V, MP40A, MP41A (a) et leurs caractéristiques d'entrée (6) et de sortie (c) dans un circuit avec base commune

Riz. 57. Brochage et dimensions hors tout des transistors MP114 - MP116

Tableau 109

Courant du collecteur inverse, µA, à U K b = - 5 V et température, °C :

20 ............... 15

70 ............... 300

Courant d'émetteur inverse, µA, à U EB = - 5 V 30

Le plus grand D.C. collecteur, mA 20

Capacité du collecteur, pF, à UK6 =5 Dans et

f=500 kHz.............. 60

Le plus grand courant impulsionnel collectionneur,

mA, à IESR<40 мА......... 150

Conductivité de sortie, µS, à I e = 1 mA,

U„ b =5 V et f=1 kHz.......... 3.3

Résistance de base, Ohm, à I e = 1 mA,

U kb =5 V et f=500 kHz......... 220

Puissance dissipée par le collecteur, mW, à température, °C :

55 ............... 150

70................ 75

Tension négative U e v, V.... 5

Tableau 110

Courant collecteur inverse, mA, à Uc = - 30 V et température 20 et 100 °C, respectivement... 10 et 400

Courant d'émetteur inverse, µA, à U eb = - 10 V et température 20 et 100 °C, respectivement. . . - 10 et 200

Résistance d'entrée, Ohm, dans un circuit avec OB à LU= - 50 V, I e = 1 mA, f = 1 kHz...... 300

Puissance dissipée par le collecteur, mW, à 70°C............................ 150

Moyenne fréquence. Transistors pnp Les KT203 (A, B, C) sont utilisés pour amplifier et générer des oscillations dans la plage allant jusqu'à 5 MHz, pour un fonctionnement dans des circuits de commutation et de stabilisation et sont produits dans un boîtier métallique avec des câbles flexibles (Fig. 58), pesant 0,5 g, avec une plage de températures de fonctionnement de - 60 à +125°C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés dans le tableau. 111.

Riz. 58. Brochage et dimensions hors tout des transistors KT203A - B

Tableau 111

Courant du collecteur inverse, µA, à la tension inverse et à la température les plus élevées de 25 et 125 °C, respectivement .............. 1 et 15

Courant d'émetteur inverse, µA, à U e 6 = - 30 V. 10

Capacité de la jonction collectrice, pF, à U K b = 5 V et f = 10 MHz.............. 10

Courant du collecteur, mA : constant.............. 10

pouls............... . 50.

Valeur moyenne du courant de l'émetteur en mode impulsionnel, mA.................. 10

Puissance dissipée par le collecteur, MW, à des températures allant jusqu'à 70 °C......... V. . 150

* Pour transistors KT203A - tension K.T203V u k q respectivement égal à 50, 30 à 15 V,

Haute fréquence. transistors de conversion pnp GT321

(A - E) sont réalisés dans un boîtier métallique avec des cordons flexibles (Fig. 59, a), pesant 2 g, avec une plage de température de fonctionnement de - 55 à +60°C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés dans le tableau. 112.

Dans les magazines UT n°9 et n°10 de 1970, nous parlions de simples récepteurs détecteurs. De tels récepteurs vous permettent d'entendre les signaux de stations de radio puissantes et proches dans vos écouteurs.

Aujourd'hui, vous vous familiariserez avec l'amplificateur à transistor le plus simple, et apprendrez également ce qui doit être fait pour rendre le récepteur encore meilleur et comment lui « apprendre » à recevoir plus de programmes avec un volume accru.

Donc, LEÇON 3.

CE QUE PEUT FAIRE UN TRANSISTOR

Tout d’abord, nous avons besoin d’un transistor. Ce petit appareil électronique, de la taille d’un petit pois, remplit le même rôle qu’un tube amplificateur. Le « cœur » du transistor est une plaque miniature constituée d’un semi-conducteur (germanium ou silicium) dans laquelle sont fusionnées deux électrodes. L'une des électrodes s'appelle l'émetteur, l'autre s'appelle le collecteur et la plaque s'appelle la base (Fig. 1).

Si un signal électrique faible est appliqué à la base du transistor, une puissante « copie » de celui-ci apparaîtra dans le circuit collecteur. Il s'avère que la triode semi-conductrice fonctionne comme un amplificateur. Le rapport, qui montre combien de fois la variation du courant du collecteur est supérieure à la variation du courant dans le circuit de base qui l'a provoquée, est appelé gain de courant du transistor et est désigné par la lettre P (bêta). Vous avez déjà deviné que plus le coefficient |3 est grand, plus le gain de la triode est important.

d Pour un amplificateur basse fréquence, des transistors de faible puissance tels que MP39-MP42 ou des triodes similaires P13-P16 avec n'importe quelle lettre d'index conviennent. Il est important que leurs chances

Le facteur de gain actuel était d'au moins 30-40.

En plus du transistor T, le circuit amplificateur (Fig. 2) comprend une résistance R, un condensateur C et un téléphone électromagnétique Tlf.

La résistance R est connectée entre la base du transistor et le moins de la batterie. Il fournit la tension à la base et crée le mode de fonctionnement nécessaire de la triode. Sa résistance est de 200 à 300 kohms et dépend des paramètres du transistor.

Le condensateur C est appelé condensateur de séparation. Il laisse passer les signaux audio, mais bloque le chemin du courant continu entre la base et la borne positive de la batterie.

La résistance fixe R peut être de tout type. Cependant, il est préférable d'inclure des appareils de petite taille tels que l'ULM ou le MLT 0,125 dans les circuits à transistors. Condensateur D'une capacité de 0,047 uF de type K Yu-7 ou MBM, et un téléphone électromagnétique (écouteur) TLF de type TON-1 ou TON-2 avec une bobine mobile à haute impédance.

Assemblez le circuit amplificateur sur un circuit imprimé en carton ou en contreplaqué mesurant 50X30 mm (Fig. 3).

Les transistors sont très sensibles aux températures élevées

température Vous devez souder rapidement et en toute confiance afin de ne pas surchauffer la triode. Les fils de l'appareil ne doivent pas être pliés à moins de 10 mm du corps et leur longueur doit être d'au moins 15 mm.

La mise en place de l'amplificateur revient à vérifier le mode de fonctionnement du transistor. En sélectionnant la valeur de la résistance R, réglez le courant du collecteur Ti égal à 0,8 - 1 mA. L'appareil de mesure doit être connecté entre la sortie casque et le négatif de la batterie. Si vous n'avez pas de milliampèremètre ou de testeur, vous pouvez définir le mode triode souhaité en fonction du volume maximum et d'une bonne qualité sonore sur le téléphone.

Vous avez donc assemblé un amplificateur basse fréquence à transistor. Connectez un microphone à ses bornes d'entrée

Transistors MP39, MP40, MP41, MP42.

Transistors MP39, MP40, MP41, MP42- germanium, amplification basse fréquence faible puissance, structures p-n-p.
Boîtier métal-verre avec câbles flexibles. Poids - environ 2 g. Marquages alphanumériques sur la surface latérale du boîtier.

Il existe les analogues étrangers suivants :
MP39 -2N1413
MP40-2N104
MP41 possible analogique - 2N44A
MP42 possible analogique - 2SB288

Les paramètres les plus importants.

Tension maximale collecteur-émetteur. Pour transistors MP39, MP40 - 15 V.
Pour les transistors MP40A - 30 V.
Pour transistors MP41, MP41A, MP42, MP42A, MP42B - 15 V.

Courant maximum du collecteur. - 20 mA constante, 150 mA - pulsé.

Courant de collecteur inverse à une tension collecteur-base de 5V et une température ambiante de -60 à +25 Celsius pas plus - 15 µA.

Courant inverse de l'émetteur à une tension émetteur-base de 5 V et une température ambiante allant jusqu'à +25 Celsius pas plus - 30 µA.

Capacité de jonction du collecteur à une tension collecteur-base de 5V à une fréquence de 1 MHz - pas plus 60 pF.

Facteur de bruit propre - pour MP39B avec une tension collecteur-base de 1,5 V et un courant émetteur de 0,5 mA à une fréquence de 1 KHz - pas plus 12 db.

Dissipation de puissance du collecteur. Pour MP39, MP40, MP41 - 150 mW
MP42 a - 200 mW

Brochage du transistor MP41

Désignation du transistor MP41 sur les schémas

Sur les schémas de circuit, le transistor est désigné à la fois par un code lettre et par un code graphique classique. Le code alphabétique est constitué des lettres latines VT et d'un chiffre (numéro ordinal sur le schéma). La désignation graphique conventionnelle du transistor MP41 est généralement placée dans un cercle, symbolisant son corps. Un court tiret avec une ligne partant du milieu symbolise la base, deux lignes inclinées tracées sur ses bords à un angle de 60° symbolisent l'émetteur et le collecteur. L'émetteur a une flèche pointant vers la base.

Caractéristiques du transistor MP41

Structure p-n-p
15* (10k)V
20 (150*) mA
0,15 W
30...60 (5 V ; 1 mA)
Courant de collecteur inverse
>1* MHz
Structure p-n-p
Tension collecteur-base maximale admissible (impulsion) 15* (Zk)V
Courant de collecteur constant (impulsion) maximum admissible 150* mA
Puissance dissipée continue maximale admissible du capteur sans dissipateur thermique (avec dissipateur thermique) 0,2 W
Coefficient de transfert de courant statique d'un transistor bipolaire dans un circuit à émetteur commun 20...35* (1 V ; 10 mA)
Courant de collecteur inverse -µA
Fréquence de coupure du coefficient de transfert de courant dans un circuit avec un émetteur commun >2* MHz

Brochage du transistor MP42

Désignation du transistor MP42 sur les schémas

Caractéristiques du transistor MP42

- Structure p-n-p
- Tension collecteur-base maximale admissible (impulsion) 15* (Zk)V
- Courant de collecteur constant (impulsion) maximum admissible 150* mA
- Puissance dissipée continue maximale admissible du capteur sans dissipateur thermique (avec dissipateur thermique) 0,2 W
- Coefficient de transfert de courant statique d'un transistor bipolaire dans un circuit à émetteur commun 20...35* (1 V ; 10 mA)
- Courant de collecteur inverse -µA
- Fréquence de coupure du coefficient de transfert de courant dans un circuit avec un émetteur commun >2* MHz

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